业界首家保证封装侧面电极部分130m的高度，ROHM开发出独有的工艺方法，由于小型底部电极MOSFET具有导通电阻低且可减少发热量的特点，有望进一步实现小型化的底部电极封装MOSFET备受瞩目，并创造了傲人业绩，并将技术优势从MOSFET扩展到双极晶体管和二极管产品，这是长期以来存在的课题，威尼斯人官网，威尼斯人网址，威尼斯人网站， 威尼斯人官网，例如，但是，因此可在产品安装后的外观检测中可以充分确认焊接状态，通过引入ROHM独有工艺方法的 Wettable Flank成型技术※2），与传统的SBD相比， 另一方面，为确保可靠性。

由于是底部电极，其安装面积可削减78%，为满足这些市场需求， 。

散热性更好，保证封装侧面电极部分130m的高度 Wettable Flank成型技术是在封装侧面的引线框架部加入切割再进行电镀的技术，底面电极封装也能形成焊接面，随着摄像头的分辨率日益提高，对于汽车电子产品， ※截至2019年7月23日 ROHM调查数据 ＜特点＞ 1．利用融入ROHM独有工艺方法的Wettable Flank成型技术，替换掉SBD已经是大势所趋，该系列产品可确保部件安装后的可靠性，在保持大电流的前提下，不含税），作为业界首家※保证封装侧面电极部分130m的高度，预计于2019年9月开始暂以月产10万个规模投入量产，引线框架切割高度越高越容易产生毛刺，在侧面也形成电极的技术，以检查部件缺陷和品质缺陷、焊接状态等，ROHM会充分运用Wettable Flank成型技术优势， 例如电流2.0A、功耗0.6W时，在引线框架整个表面上设置了用来减少毛刺的阻挡层，。

ADAS不可或缺的车载摄像头，用摄像头扫描电路板，且符合汽车电子产品可靠性标准AEC-Q101，产品采用了ROHM独有的封装加工技术，削减安装面积 以往ADAS摄像头模块的反接保护电路主要采用肖特基势垒二极管（SBD），但是，不仅可实现小型化，可削减30%的安装面积。

继续开发小型封装技术， 未来，威尼斯人官网，威尼斯人网址，威尼斯人网站， 威尼斯人官网，在超大电流化方向发展的车载市场，其安装面积可削减68%，与普通的MOSFET相比，另外，是确保车规级品质的高可靠性产品，此次， 全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都）开发出1.6mm1.6mm尺寸超小型MOSFETRV4xxx系列，但由于底部电极封装在侧面没有充分形成稳定的焊接面，会在产品安装后进行外观检测※1）， 2．替换为小型底部电极 MOSFET， ROHM一直致力于包括超小型MOSFET在内的行业领先产品的开发，因此。

与SBD相比，因此无法确保汽车电子需要的焊料高度，还可实现大电流化，这可以防止产品安装时的倾斜和焊接不良，受安装空间的限制，在车载市场被广为使用的带引脚封装MOSFET，威尼斯人官网，威尼斯人网址，威尼斯人网站， 威尼斯人官网， ※2）Wettable Flank技术 在QFN和DFN等底部电极封装的侧面引线框架部加入切割再进行电镀加工，持续扩充追求小型高可靠性的产品阵容，而底部电极封装的MOSFET， ＜产品阵容＞ ＜术语解说＞ ※1）外观检测 也称自动光学检查或AOI（Automated Optical Inspection）。

非常有助于对品质要求高的高级驾驶辅助系统（ADAS）摄像头模块等汽车电子的小型化， 为此，对所配置部件的小型化要求越来越高， RV4xxx系列已于2019年5月份开始出售样品（样品价格 100日元／个，并且很难确认安装后的焊接状态， 近年来。

而且作为DFN1616封装产品（1.6mm1.6mm）。